特許
J-GLOBAL ID:200903020127287089
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-029547
公開番号(公開出願番号):特開2003-318262
出願日: 2003年02月06日
公開日(公表日): 2003年11月07日
要約:
【要約】【課題】ヒューズ配線を電気的に断線させるヒューズブローを行い易く、かつ、ヒューズ配線やその周辺部の品質が劣化し難いヒューズ配線構造の半導体装置を提供する。【解決手段】Cuヒューズ配線1を、ヒューズ用引き出し線5、およびこの引き出し線5よりも上方に設けられて引き出し線5に電気的に接続されるヒューズ本体部2から構成してSi基板3上に設ける。Cuヒューズ配線1を覆うように、絶縁膜としての層間絶縁膜4およびCu拡散防止膜7を積層して設けるとともに、ヒューズ本体部2の上方に、ヒューズブローを行い易くするための凹部9を形成する。ヒューズ本体部2を、凹部9の底部10の幅および長さよりも短く、かつ、ヒューズブロー用レーザビームの径以上の長さに形成して、底部10と対向する領域の内側に位置して設ける。
請求項(抜粋):
基板と、この基板上に設けられたヒューズ配線と、このヒューズ配線を覆うように設けられた絶縁膜と、を具備してなり、前記ヒューズ配線中、前記ヒューズ配線を電気的に断線させるヒューズブローのターゲットとなるヒューズ本体部が、前記ヒューズ配線上の前記絶縁膜に形成されたヒューズブロー用凹部の底部よりも小さく、かつ、ヒューズブロー用レーザビームの径以上の長さに形成されて、前記底部と対向する領域の内側に位置して設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/82
, H01L 21/3205
FI (2件):
H01L 21/82 F
, H01L 21/88 S
Fターム (55件):
5F033HH08
, 5F033HH09
, 5F033HH11
, 5F033HH12
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033JJ01
, 5F033JJ08
, 5F033JJ09
, 5F033JJ11
, 5F033JJ17
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ21
, 5F033JJ32
, 5F033KK11
, 5F033KK21
, 5F033KK32
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033MM05
, 5F033MM08
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP27
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ19
, 5F033QQ48
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR23
, 5F033SS04
, 5F033UU04
, 5F033VV11
, 5F033WW08
, 5F033XX01
, 5F033XX20
, 5F033XX24
, 5F033XX28
, 5F033XX34
, 5F064BB35
, 5F064EE19
, 5F064FF02
, 5F064FF27
, 5F064FF32
, 5F064FF34
, 5F064FF42
, 5F064GG03
引用特許:
出願人引用 (6件)
-
United States Patent No.: 6,376,894
-
半導体集積回路および半導体集積回路の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-067513
出願人:東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-326584
出願人:株式会社東芝
-
United States Patent No.: 6,054,339
-
半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-033650
出願人:株式会社東芝
-
特開昭57-075442
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審査官引用 (3件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-326584
出願人:株式会社東芝
-
半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-033650
出願人:株式会社東芝
-
特開昭57-075442
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