特許
J-GLOBAL ID：200903020790596168

半導体発光素子、半導体発光素子実装体及び半導体発光素子の製造方法

発明者：
中村 篤志

中村 篤志 について

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天明 二郎

天明 二郎 について

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青木 徹

青木 徹 について

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田中 昭

田中 昭 について


出願人/特許権者：
国立大学法人静岡大学

国立大学法人静岡大学 について


代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  鈴木 壯兵衞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-247902
公開番号（公開出願番号）：特開2007-066986
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】 熱力学的には許されないとされる組成のZnO系化合物半導体混晶の結晶成長を可能とし、これにより、室温で紫外〜可視域の広範囲での発光が可能で、熱的に安定でしかも資源的枯渇のおそれの少ない半導体発光素子、半導体発光素子実装体及び半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 六方晶系SiC単結晶薄膜からなるp型クラッド層11と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Eg=1.8eV以上、3.1eV未満のZnO系化合物半導体混晶からなり、クラッド層11とヘテロ接合をなす発光層12とを備える。発光層12は、例えば、n型Zn1-xCdxO(0≦x≦0.7,特に0.07 請求項（抜粋）：
六方晶系SiC単結晶からなるクラッド層と、 ウルツ鉱構造で、室温における禁制帯幅1.8eV以上、3.1eV未満のZnO系化合物半導体混晶からなり、前記クラッド層とヘテロ接合をなす発光層 とを備えることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/365
FI (2件)：
H01L33/00 D ,  H01L21/365
Fターム (20件)：
5F041AA12 ,  5F041CA04 ,  5F041CA22 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA65 ,  5F041CB29 ,  5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AB23 ,  5F045AB26 ,  5F045AF02 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA63 ,  5F045HA03 ,  5F045HA13
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (2件)
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-198336   出願人：三洋電機株式会社
  • 光学媒体
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-163481   出願人：ラボ・スフィア株式会社
引用文献：
出願人引用 (1件)

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