特許
J-GLOBAL ID：200903021402118213
偏極電子線発生素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007444
公開番号（公開出願番号）：特開平7-220620
出願日： 1994年01月27日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 高い量子効率の偏極電子線発生素子を得る。【構成】 半導体光電層としての第2半導体16に対するZnのドーピング量を、内部領域18においては、内部から表面22に向かうに従って連続的に少なくし、最も内側の第1半導体14との界面付近のキャリア濃度を1×1019(cm-3) 程度に、表層領域20との境界付近でのキャリア濃度を5×1017(cm-3) 程度にすると共に、表層領域20においては、Znのドーピング量を比較的多くしてキャリア濃度を5×1018(cm-3)程度とした。これにより、内部領域18においては伝導帯のエネルギーレベルは表面22側程低くなって、励起された電子が移動し易く、且つ表面22はNEA状態を実現し易くされている。
請求項（抜粋）：
価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層を備え、該半導体光電層に励起光が入射されることにより該半導体光電層の表面からスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子であって、前記半導体光電層の不純物のドーピング量が、前記表面から所定距離以上内側に位置する内部領域では該表面側より内部側の方が多くされると共に、該内部領域よりも外側の表層領域では該内部領域の表面側よりも多くされていることを特徴とする偏極電子線発生素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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