偏極電子線発生素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池田治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-337982
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163400
出願日： 1992年11月25日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【構成】 GaAs基板12上に、ポテンシャル障壁としてAl0.2 Ga0.8 As/Al0.4 Ga0.6 As多重量子井戸構造の半導体障壁層14を積層し、その半導体障壁層14上にGaAs0.87P0.13半導体光電層16を積層する。Al0.2 Ga0.8 As/Al0.4 Ga0.6 AsとGaAs0.87P0.13との格子定数差に基づいて半導体光電層16には格子歪が生じさせられ、励起光が注入されることによりスピン方向が偏在している偏極電子線が表面18から放出される。【効果】ポテンシャル障壁を高くするためにAlx Ga1-x Asの混晶比xを大きくするとZnのドーピングが困難で導電率が悪くなるが、多重量子井戸構造の半導体障壁層14は実質的なポテンシャル障壁高さがバルクより高くなるため、Znドーピングが容易な混晶比xが0.6以下の範囲でも電子の侵入を良好に阻止でき、導電率を損なうことなく偏極電子線の取出効率が向上する。

請求項（抜粋）：

価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層を備え、該半導体光電層に励起光が入射されることにより該半導体光電層の表面からスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子であって、前記偏極電子線を反射する多重量子井戸構造の半導体障壁層が前記半導体光電層の裏側に設けられていることを特徴とする偏極電子線発生素子。

引用特許：

出願人引用 (2件)

偏極電子線発生素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-337983 出願人：大同特殊鋼株式会社
偏極電子線発生素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-029823 出願人：岸野克巳, 大同特殊鋼株式会社

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