特許
J-GLOBAL ID：200903024764740744

バルク超電導体のパルス着磁方法及び超電導磁石装置

発明者：
藤代 博之

藤代 博之 について

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金山 雅彦

金山 雅彦 について

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岡 徹雄

岡 徹雄 について


出願人/特許権者：
国立大学法人岩手大学

国立大学法人岩手大学 について

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アイシン精機株式会社

アイシン精機株式会社 について


代理人 (3件)： 高橋 祥泰 ,  岩倉 民芳 ,  高橋 祥起
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-156956
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332499
出願日： 2005年05月30日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】従来よりも高い磁場を捕捉することができるバルク超電導体のパルス着磁方法およびその方法を効率よく実現可能な超電導磁石装置を提供すること。【解決手段】バルク超電導体のパルス着磁方法において、バルク超電導体を、超電導転移温度以下の保持温度T1に保持し、パルス磁場B1を印加して、バルク超電導体の中心の捕捉磁場が0.1テスラ超え、2.0テスラ未満となるようにバルク超電導体に磁場を捕捉させる1次着磁工程と、バルク超電導体を保持温度T1よりも低い保持温度T2(B1)を印加することにより、捕捉磁場を増大させる2次着磁工程とを含む。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
バルク超電導体の外周側に着磁コイルを配置し、該着磁コイルに電流を流してパルス磁場を発生させることにより、上記バルク超電導体を着磁するバルク超電導体のパルス着磁方法において、 上記バルク超電導体を、超電導転移温度以下の保持温度T1に保持し、パルス磁場B1を印加して、上記バルク超電導体の中心の捕捉磁場が0.1テスラ超え、2.0テスラ未満となるように上記バルク超電導体に磁場を捕捉させる1次着磁工程と、 上記バルク超電導体を上記保持温度T1よりも低い保持温度T2(B1)を印加することにより、捕捉磁場を増大させる2次着磁工程とを含むことを特徴とするバルク超電導体のパルス着磁方法。
IPC (2件)：
H01F 6/00 ,  H01F 6/04
FI (2件)：
H01F7/24 ,  H01F7/22 G
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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