特許
J-GLOBAL ID：200903027901940321

分子構造制御方法および分子構造制御装置

発明者：
味戸 克裕

味戸 克裕 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-294817
公開番号（公開出願番号）：特開2006-102896
出願日： 2004年10月07日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】従来の化学的な処理ではなく、分子内または分子間に働く弱い力である水素結合やファンデア・ワールス力を変化させて、その立体配座を変化させ、これにより分子の立体構造や反応性を制御できるようにする。【解決手段】周波数0.1〜15THzで、出力0.01J/cm2以下の電磁波を発射する透過スペクトル用電磁波源1と、周波数0.1〜15THzで、出力0.1〜106J/cm2の電磁波を発射する励起用電磁波源9と、これら電磁波源からの電磁波を分子に集光して照射する2個の集光レンズ2、10と、上記分子を載置する試料基板3と、上記試料を透過した電磁波を観測する観測手段7、8を備えたことを特徴とする分子構造制御装置を用い、分子に励起用電磁波源9からの電磁波を照射する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
周波数0.1〜15THzで、出力0.1〜106J/cm2の電磁波を、1分子ごとに分散し固定した状態の分子に照射し、この分子の立体配座を変化させることを特徴とする分子構造制御方法。
IPC (7件)：
B82B 3/00 ,  B82B 1/00 ,  G01N 21/01 ,  G01N 21/35 ,  G01N 21/64 ,  G01N 21/65 ,  G01R 33/465
FI (7件)：
B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  G01N21/01 C ,  G01N21/35 Z ,  G01N21/64 Z ,  G01N21/65 ,  G01N24/08 510Q
Fターム (35件)：
2G043AA06 ,  2G043DA06 ,  2G043DA08 ,  2G043EA01 ,  2G043EA03 ,  2G043GA07 ,  2G043GB07 ,  2G043HA01 ,  2G043HA02 ,  2G043JA03 ,  2G043JA04 ,  2G043KA01 ,  2G043KA05 ,  2G043KA09 ,  2G043LA01 ,  2G043LA03 ,  2G043LA07 ,  2G059AA10 ,  2G059BB12 ,  2G059CC16 ,  2G059DD13 ,  2G059DD16 ,  2G059EE01 ,  2G059EE03 ,  2G059EE12 ,  2G059GG01 ,  2G059GG03 ,  2G059HH01 ,  2G059JJ03 ,  2G059JJ05 ,  2G059JJ11 ,  2G059KK01 ,  2G059KK04 ,  2G059KK09 ,  2G059KK10
引用特許：
審査官引用 (1件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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