特許
J-GLOBAL ID：200903029125819358

ドーピング方法およびそれを用いた半導体素子

発明者：
金山 敏彦

金山 敏彦 について

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宮崎 剛英

宮崎 剛英 について

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日浦 英文

日浦 英文 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について

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日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (3件)： 福田 賢三 ,  福田 伸一 ,  福田 武通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-261239
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103699
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】ソース、ドレインの浅接合化と低抵抗化を実現することができるようにする。【解決手段】この発明は、半導体表面に付着させた分子またはクラスター(原子団)から半導体表面への電荷移動により、半導体表面付近にキャリアを発生させて製造したことを特徴とする半導体素子である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体表面に付着させた分子またはクラスター(原子団)から半導体表面への電荷移動により、半導体表面付近にキャリアを発生させることを特徴とするドーピング方法。
IPC (3件)：
H01L21/225 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78
FI (5件)：
H01L21/225 P ,  H01L21/225 M ,  H01L21/28 301A ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 301S
Fターム (40件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB19 ,  4M104BB24 ,  4M104BB27 ,  4M104BB39 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD17 ,  4M104DD28 ,  4M104DD36 ,  4M104DD55 ,  4M104DD92 ,  4M104EE02 ,  4M104EE14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F140AA10 ,  5F140AA13 ,  5F140AC16 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BH14 ,  5F140BH45 ,  5F140BJ03 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ21 ,  5F140BJ26 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CC04 ,  5F140CC08
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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