特許
J-GLOBAL ID：200903032182008308

放射線検出器の製造方法

発明者：
畑中 義式

畑中 義式 について

, 
青木 徹

青木 徹 について


出願人/特許権者：
静岡大学長

静岡大学長 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-219860
公開番号（公開出願番号）：特開2001-042097
出願日： 1999年08月03日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 熱プロセス及び機械加工プロセスに極めて弱い化合物半導体の処理を、容易、かっ確実に行うことを可能にする放射線検出器を製造する方法を提供すること。【解決手段】 化合物半導体の表面に所定の導電型のドーパントを付着し、レーザー光を前記化合物半導体に照射することによって、前記ドーパントを前記化合物半導体にドーピングしたり、また、化合物半導体に真空雰囲気中で紫外線レーザー光を照射する事によって前記化合物半導体の素子分離、素子端面処理及び清浄化処理の一連のプロセスをレーザー光処理を用いることによって行う。
請求項（抜粋）：
化合物半導体の表面に所定の導電型の不純物を含む化合物を付着し、窒素又は不活性ガスの高圧雰囲気中でレーザー光を前記化合物半導体に照射することによって、前記不純物ドーパントを前記化合物半導体にドーピングし、次に、化合物半導体に真空雰囲気中でレーザー光を照射することによって前記化合物半導体の表面の清浄処理及び素子分離を同時に一連のプロセスとして行うことを特徴とする放射線検出器の製造方法。
IPC (2件)：
G21K 5/00 ,  H01L 31/09
FI (2件)：
G21K 5/00 Z ,  H01L 31/00 A
Fターム (6件)：
5F088AA03 ,  5F088AB09 ,  5F088BA18 ,  5F088CB08 ,  5F088CB20 ,  5F088LA07
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (1件)

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