特許
J-GLOBAL ID：200903035186673984

ジョセフソン接合及びジョセフソンデバイス

発明者：
前田 京剛

前田 京剛 について

, 
ゴメス・エスピノーザ・ルイス・ベルトラン

ゴメス・エスピノーザ・ルイス・ベルトラン について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (1件)： 平山 一幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-332346
公開番号（公開出願番号）：特開2008-047852
出願日： 2006年12月08日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：
【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする、新規なジョセフソン接合及びジョセフソン接合デバイスを提供する。【解決手段】ジョセフソン接合1は、超伝導体層2と超伝導体層2の中央部2C上に積層した強磁性層3とを備える。強磁性層3は導電性又は絶縁性の強磁性層とすることができ、絶縁層を介して積層される導電性強磁性層としてもよい。超伝導体層2を高温超伝導体層とすれば、大きなIcRN積を有するジョセフソン接合1とすることができる。このジョセフソン接合1は、各種のジョセフソンデバイスの接合として使用することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
超伝導体層と該超伝導体層の中央部上に積層される強磁性層とを備えることを特徴とする、ジョセフソン接合。
IPC (4件)：
H01L 39/22 ,  C23C 14/28 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/24
FI (4件)：
H01L39/22 A ,  C23C14/28 ,  C23C14/08 L ,  C23C14/24 Q
Fターム (23件)：
4K029AA04 ,  4K029BA50 ,  4K029BC04 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029EA05 ,  4M113AA01 ,  4M113AA52 ,  4M113AC07 ,  4M113AC08 ,  4M113AC22 ,  4M113AD36 ,  4M113AD37 ,  4M113BA04 ,  4M113BC02 ,  4M113CA13 ,  4M113CA17 ,  4M113CA33 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35 ,  4M113CA43
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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