特許

J-GLOBAL ID：200903039605826600

導電部の形成方法、および半導体装置

発明者： 佐々木 圭 一 ,  池 上 浩 ,  増 子 英 明
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  ジェイエスアール株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-299026
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111178
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【解決手段】 本発明に係る導電部の形成方法は、強磁性体粒子と溶剤とを含有する導電性ペーストを、凹部を有する版基板の凹部に埋め込む工程と、前記導電性ペーストを、導電部形成用基材上に磁石を用いて転写させて該基材上に導電部を形成する工程とからなり、前記溶剤は、凹部を有する版基板との接触角が45°以上であることを特徴としている。また、本発明に係る半導体装置は、前記導電部の形成方法により形成された導電部を有することを特徴としている。【効果】 本発明に係る導電部の形成方法によれば、高精細の配線パターンあるいはバンプを優れた位置精度で簡便に得ることができる。また、本発明に係る導電部の形成方法によれば、優れた位置精度で、かつ高精細の配線パターンあるいはバンプを有する半導体装置を簡便に得ることができる。

請求項（抜粋）：

強磁性体粒子と溶剤とを含有する導電性ペーストを、凹部を有する版基板の凹部に埋め込む工程と、前記導電性ペーストを、導電部形成用基材上に磁石を用いて転写させて該基材上に導電部を形成する工程とからなり、前記溶剤は、凹部を有する版基板との接触角が45°以上であることを特徴とする基材上への導電部の形成方法。

IPC (2件)：

H05K 3/20 ,  H01L 21/60

FI (2件)：

H05K 3/20 C ,  H01L 21/92 604 F

Fターム (21件)：

5E343AA02 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB28 ,  5E343BB34 ,  5E343BB43 ,  5E343BB44 ,  5E343BB45 ,  5E343BB48 ,  5E343BB49 ,  5E343BB54 ,  5E343BB55 ,  5E343BB59 ,  5E343BB72 ,  5E343BB76 ,  5E343DD56 ,  5E343DD64 ,  5E343ER18 ,  5E343FF08 ,  5E343GG08