特許

J-GLOBAL ID：200903042042113468

偏極電子線発生素子

発明者： 坂 貴 ,  加藤 俊宏 ,  中西 彊 ,  堀中 博道
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-260072
公開番号（公開出願番号）：特開平7-114874
出願日： 1993年10月18日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザ等が使用可能な短い波長で高い偏極率と高い量子効率が得られる偏極電子線発生素子を提供する。【構成】 偏極電子線発生素子10は、基板12の上にMOCVD(有機金属化学気相成長)装置により順次結晶成長させられた第1半導体14、第2半導体16およびパッシベーション膜18を備えている。基板12は350μm程度の厚みのp-GaAsであり、表面は(100)面である。また、第1半導体14は2.0μm(2000nm)程度の厚みのp-GaAs0.8 P0.2 、第2半導体16は200nm程度の厚みのp-Al0.13Ga0.87Asであり、その格子定数は第1半導体14よりも大きく、バンドギャップエネルギーは第1半導体14よりも小さくされている。また、パッシベーション膜18は5nm程度の厚みのp-GaAsである。

請求項（抜粋）：

第1半導体と、該第1半導体の上に結晶成長させられた該第1半導体とは格子定数が僅かに異なる第2半導体とを備え、該第2半導体に励起光が照射されることによりスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子において、前記第2半導体をAlx Ga1-x As(混晶比x>0)にて構成したことを特徴とする偏極電子線発生素子。

IPC (2件)：

H01J 1/34 ,  H01J 37/075