特許
J-GLOBAL ID：200903044257003763
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-264731
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080399
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】貫通孔内に密着性が良好な絶縁樹脂層が形成され、これを介してビア(スルーホール導通部)が形成された信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、表面に素子が集積・形成された半導体基板1と、この半導体基板を貫通する貫通孔2と、貫通孔の側壁面に形成された第1の絶縁樹脂層5と、半導体基板の表裏両面に形成された第2の絶縁樹脂層6と、貫通孔内で第1の絶縁樹脂層上に形成された第1の導体層と、第2の絶縁樹脂層上に形成され第1の導体層と導通された第2の導体層7を有する。半導体基板にレーザ照射して貫通孔を形成する工程と、貫通孔内に絶縁樹脂を充填する工程と、充填された絶縁樹脂に樹脂貫通孔を同心的に形成する工程と、樹脂貫通孔の側壁面に導体層を形成し、半導体基板の表面と裏面を導通させるビアを形成する工程とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
該半導体基板を貫通する貫通孔と、
該貫通孔の側壁面に形成された第1の絶縁樹脂層と、
前記半導体基板の表面と裏面の少なくとも一方の面の所定の領域に形成された第2の絶縁樹脂層と、
前記貫通孔内で前記第1の絶縁樹脂層上に形成された第1の導体層と、
前記第2の絶縁樹脂層上の所定の領域に形成され、前記第1の導体層と導通された第2の導体層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 25/18
, H01L 25/07
, H01L 25/065
, H01L 23/538
, H01L 23/52
, H01L 21/320
H01L25/08 Z
, H01L23/52 A
, H01L21/88 J
5F033HH07
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033JJ07
, 5F033JJ11
, 5F033JJ13
, 5F033JJ17
, 5F033JJ18
, 5F033KK07
, 5F033KK11
, 5F033KK13
, 5F033KK17
, 5F033KK18
, 5F033MM05
, 5F033MM30
, 5F033PP15
, 5F033PP28
, 5F033QQ37
, 5F033QQ53
, 5F033QQ92
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033RR23
, 5F033SS21
, 5F033TT07
, 5F033XX12
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
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