特許
J-GLOBAL ID:200903044809774581

トランジスタ構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 須田 正義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-095128
公開番号(公開出願番号):特開平8-288280
出願日: 1995年04月20日
公開日(公表日): 1996年11月01日
要約:
【要約】【目的】 VLSI,ULSI等の超微細構造にするために集積化及び実装密度を高めてもフィールド酸化膜の端縁における圧縮応力に伴う弾性、塑性歪みを増大させずにpn接合リーク電流を低減し得る。DRAMの場合、リフレッシュ頻度を減少し、リフレッシュタイムを増大できる。【構成】 シリコン基板10表面に活性領域18がフィールド酸化膜17で四方を囲まれ四角形に形成されたトランジスタ構造に関し、四角形の活性領域18がその端縁(LOCOS端)18aを基板10の<110>方向のシリコン結晶方位から45 ゚傾けることにより<100>方向の結晶方位に揃えて形成されたことを特徴とする。
請求項(抜粋):
シリコン基板(10)表面に活性領域(18)がフィールド酸化膜(17)で四方を囲まれ四角形のパターンに形成されたトランジスタ構造において、前記四角形の活性領域(18)がその端縁(18a)を前記基板(10)の<110>方向のシリコン結晶方位から45 ゚傾けることにより<100>方向の結晶方位に揃えて形成されたことを特徴とするトランジスタ構造。
IPC (5件):
H01L 21/316 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78
FI (4件):
H01L 21/94 A ,  H01L 21/76 M ,  H01L 27/10 681 D ,  H01L 29/78 301 Q

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