特許
J-GLOBAL ID:200903047623866230
レーザ加工方法、レーザ加工装置および半導体装置の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三好 秀和 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-326865
公開番号(公開出願番号):特開2002-224878
出願日: 2001年10月24日
公開日(公表日): 2002年08月13日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 加工対象物の加工面でのレーザ光照射による損傷を低減し、加工面へのダストの付着を効果的に防止することのできるレーザ加工方法を提供する。【解決手段】 レーザ加工方法は、レーザ光を透過させる液体8を加工対象物10の加工面10Aに供給し、この液体8を介してレーザ光24を加工面上10Aに照射し、加工面10Aに超音波振動を与えながらレーザ加工を行う。
請求項(抜粋):
レーザ光を透過させる液体を、加工対象物の加工面に供給し、前記液体を介してレーザ光を前記加工面に照射し、前記加工面に超音波振動を与えながらレーザ加工を行うレーザ加工方法。
IPC (6件):
B23K 26/12
, B23K 26/14
, H01L 21/301
, H01L 23/12 501
, H05K 3/00
, B23K101:40
FI (6件):
B23K 26/12
, B23K 26/14 Z
, H01L 23/12 501 P
, H05K 3/00 N
, B23K101:40
, H01L 21/78 C
Fターム (2件):
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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