特許
J-GLOBAL ID:200903047721097520

めっき膜を被覆したR-T-N系異方性磁粉

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-155722
公開番号(公開出願番号):特開2003-342604
出願日: 2002年05月29日
公開日(公表日): 2003年12月03日
要約:
【要約】【課題】 R-T-N系異方性磁粉のような粒度の細かいものに対しても、各磁粉毎に所定のめっき浴をもちいためっき被覆を行い、耐蝕性、かつ成形性の優れた磁粉を提供する事を課題とする。また、それを用いたボンド磁石を提供する事を課題とする。【解決手段】 主要成分組成が、重量百分率で、R(RはYを含む希土類元素の少なくとも1種であり、Smを必ず含む)20〜30%、N2.5〜3.5%、残部T(TはFeまたはFeとCoである)および不可避的不純物からなる、平均粒径が0.5〜5μmのR-T-N系異方性磁粉であって、前記R-T-N系異方性磁粉の表面に平均膜厚0.001〜1μmであるめっき浴を用いためっき層が被覆されている事を特徴とするR-T-N系異方性磁粉。
請求項(抜粋):
主要成分組成が、重量百分率で、R(RはYを含む希土類元素の少なくとも1種であり、Smを必ず含む)20〜30%、N2.5〜3.5%、残部T(TはFeまたはFeとCoである)および不可避的不純物からなる、平均粒径が0.5〜5μmのR-T-N系異方性磁粉であって、前記R-T-N系異方性磁粉の表面に平均膜厚0.001〜1μmであるウェットめっき法を用いて得られためっき膜が被覆されている事を特徴とするR-T-N系異方性磁粉。
IPC (6件):
B22F 1/02 ,  B22F 1/00 ,  B22F 3/00 ,  C22C 38/00 303 ,  C25D 7/00 ,  H01F 1/06
FI (6件):
B22F 1/02 A ,  B22F 1/00 Y ,  B22F 3/00 C ,  C22C 38/00 303 D ,  C25D 7/00 K ,  H01F 1/06 A
Fターム (34件):
4K018AA27 ,  4K018AB10 ,  4K018AC02 ,  4K018AD10 ,  4K018BA18 ,  4K018BB04 ,  4K018BC24 ,  4K018BC29 ,  4K018BD01 ,  4K018CA02 ,  4K018GA04 ,  4K018KA46 ,  4K024AA05 ,  4K024AA17 ,  4K024AB01 ,  4K024BA01 ,  4K024BA02 ,  4K024BB14 ,  4K024BC08 ,  4K024CB02 ,  4K024CB06 ,  4K024CB21 ,  4K024DA04 ,  4K024GA04 ,  5E040AA03 ,  5E040AA19 ,  5E040BB04 ,  5E040BB05 ,  5E040BC01 ,  5E040HB14 ,  5E040HB17 ,  5E040NN01 ,  5E040NN05 ,  5E040NN06

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