特許
J-GLOBAL ID:200903048898784582
二元細孔シリカゲル担持パラジウムを用いた接触水素添加反応方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-043400
公開番号(公開出願番号):特開2004-250387
出願日: 2003年02月20日
公開日(公表日): 2004年09月09日
要約:
【課題】特定の孔径を有するマクロ細孔と特定の孔径を有するメソ細孔からなる二元細孔シリカゲルに担持されたパラジウムの存在下、水素化される部位を有する化合物に水素ガスを接触させることにより当該水素化される部位の接触水素添加反応を効率よく行う方法を提供することを課題とする。【解決手段】0.5〜25μmの孔径を有するマクロ細孔と5〜25nmの孔径を有するメソ細孔からなる二元細孔シリカゲルに担持されたパラジウムの存在下、水素化される部位を有する化合物に水素ガスを接触させることを特徴とする、当該水素化される部位の接触水素添加反応方法。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
0.5〜25μmの孔径を有するマクロ細孔と5〜25nmの孔径を有するメソ細孔からなる二元細孔シリカゲルに担持されたパラジウムの存在下、水素化される部位を有する化合物に水素ガスを接触させることを特徴とする、当該水素化される部位の接触水素添加反応方法。
IPC (4件):
C07C5/03
, C07C13/18
, C07C45/62
, C07C47/02
FI (4件):
C07C5/03
, C07C13/18
, C07C45/62
, C07C47/02
Fターム (9件):
4H006AA02
, 4H006AC11
, 4H006BA25
, 4H006BA56
, 4H006BE20
, 4H006DA44
, 4H039CA19
, 4H039CB10
, 4H039CE40
引用特許:
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