特許
J-GLOBAL ID：200903051075032632

強誘電体材料及び圧電体

発明者：
川江 健

川江 健 について

, 
森本 章治

森本 章治 について

, 
津田 尚

津田 尚 について


出願人/特許権者：
国立大学法人金沢大学

国立大学法人金沢大学 について


代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-074105
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231482
出願日： 2008年03月21日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】強誘電特性の劣化を引き起こすことなく、効率的にリーク電流を抑制する新たな強誘電体材料を提供する。【解決手段】薄膜化させるターゲット材料として、Bi:Nd:Fe:Mn=1.0:0.05:0.97:0.03組成を有する焼結ターゲットを用い、パルスレーザ照射によりターゲットから射出されたアブレーション粒子を、STO基板(1d)上にPt(1c)をPLA堆積させたPt/STO基板上に堆積することにより、BFOのBiサイト及びFeサイトの両方のサイトを元素置換したBNFM(1b)の強誘電体材料の薄膜を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
強誘電体であるBiFeO3のBiサイトが、希土類元素であるLa、Nd、Sm、Gd、Dy、及びYbのうち少なくとも1つを用いて元素置換され、前記BiFeO3のFeサイトが、遷移金属元素であるTi、Cr、Mn、Co、Ni、及びCuのうち少なくとも1つを用いて元素置換がされた ことを特徴とする強誘電体材料。
IPC (9件)：
H01L 41/187 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  H01B 3/12 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C04B 35/26
FI (8件)：
H01L41/18 101B ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A ,  H01B3/12 318Z ,  C23C14/08 K ,  C23C14/34 A ,  C04B35/26 Z
Fターム (37件)：
4G018AA11 ,  4G018AA13 ,  4G018AA15 ,  4G018AA20 ,  4G018AA21 ,  4G018AA22 ,  4G018AA23 ,  4G018AA24 ,  4G018AA37 ,  4G018AB07 ,  4K029BA50 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5F083FR01 ,  5F083GA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR22 ,  5G303AA01 ,  5G303AA03 ,  5G303AB06 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB05 ,  5G303CB09 ,  5G303CB10 ,  5G303CB11 ,  5G303CB13 ,  5G303CB15 ,  5G303CB18 ,  5G303CB22 ,  5G303CB23 ,  5G303CB35 ,  5G303CB41
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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