半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-073487
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269345
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】Si基板や隣接領域に対して損傷を与えることなくリンダンダンシ技術用のヒューズを切断する。【解決手段】Si基板11上に形成された層間絶縁膜12中に下層配線13が形成されている。下層配線13の上方に、ヴィア14を介してAlやCu等の上層金属配線15が形成されている。上層金属配線15と同じ層にリンダンダンシ用のヒューズ16が形成されている。波長1000〜1100nm、ビーム径Dのレーザを照射することにより、ヒューズ16を切断する際、ヒューズ16の膜厚T及び幅Wが、T≦(-0.15(D+2σ)+0.46)exp(2W)(σはレーザの中心とヒューズの中心との合わせ精度)の条件を満たして形成されている。

請求項（抜粋）：

波長1000〜1100nm、ビーム径Dのレーザを照射することにより切断されるリンダンダンシ用のヒューズを具備する半導体装置において、前記ヒューズの膜厚T及び幅Wが、T≦(-0.15(D+2σ)+0.46)exp(2W)(σはレーザの中心とヒューズの中心との合わせ精度)の条件を満たす事を特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/82 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/82 F , H01L 27/04 M

Fターム (4件)：

5F038DF16 , 5F064FF02 , 5F064FF27 , 5F064FF42

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平4-363049

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