特許

J-GLOBAL ID：200903055313036540

有機半導体ドット作製材料、有機半導体ドット構造体および有機半導体ドットの作製方法

発明者： 中村 貴義 ,  芥川 智行
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 佐川 慎悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-276273
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039130
出願日： 2003年07月17日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】 簡単かつ短時間で低分子の有機半導体ドットをナノスケールで作製することができるとともに、そのドットサイズを調節し得る有機半導体ドット作製材料、有機半導体ドット構造体および有機半導体ドットの作製方法を提供する。【解決手段】 下記の一般式(I)で表される化合物とヨウ素との電荷移動錯体を有機半導体ドット作製材料の有効成分とする。【化1】〔式(I)において、R1は炭素数8〜20のアルキル鎖であり、nは0または1である。〕【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

下記の一般式(I)で表される化合物とヨウ素との電荷移動錯体を有効成分とする有機半導体ドット作製材料。

IPC (4件)：

H01L51/00 ,  C07D519/00 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06

FI (4件)：

H01L29/28 ,  C07D519/00 ,  H01L21/368 L ,  H01L29/06 601D

Fターム (6件)：

4C072MM08 ,  4C072UU05 ,  4C072UU10 ,  5F053AA06 ,  5F053DD19 ,  5F053FF10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 量子ドットの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-175914   出願人：日本電気株式会社, 株式会社日立製作所, 技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構
• 準ナノスケール電子システム、装置及び方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平6-500828   出願人：エールユニバシティ, ユニバーシティオブサウスカロライナ
• 配線の形成方法、有機能動素子の配線、及び有機能動装置、並びに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-032559   出願人：セイコーエプソン株式会社

引用文献：

出願人引用 (4件)

• 種々のマクロサイクリックTTFとF4TCNQからなる電荷移動錯体LB膜の作製と構造評価
• 固体表面への分子ナノワイヤ構造の構築
• Formation of oriented molecular nanowires on mica surface
• "Synthesis of Unsymmetrical Tetrathiafulvalene Derivatives via Me3Al-Promoted Reactions of Organotin