特許
J-GLOBAL ID:200903057268700843

偏極電子線発生素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池田 治幸 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-029823
公開番号(公開出願番号):特開平6-223708
出願日: 1993年01月25日
公開日(公表日): 1994年08月12日
要約:
【要約】【目的】 量子効率および取出効率が高いとともに、半導体レーザ等の使用が可能な815nm程度の波長の励起レーザ光で高い偏極率が得られ、しかも素子構造が簡単で安価な偏極電子線発生素子を提供する。【構成】 GaAs基板12上にAl0.6 Ga0.4 As/Al0.2 Ga0.8 As半導体多層膜反射鏡14を積層するとともに、その反射鏡14上にGaAs0.87P0.13半導体光電層16を積層し、Al0.6 Ga0.4 As/Al0.2 Ga0.8 AsとGaAs0.87P0.13との格子定数差に基づいて半導体光電層16に格子歪を生じさせ、励起光が注入されることにより表面18から偏極電子線を発生させる。
請求項(抜粋):
価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層を備え、該半導体光電層に励起光が入射されることにより該半導体光電層の表面からスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子であって、屈折率が周期的に変化し且つバンドギャップの最大値が前記半導体光電層のバンドギャップより大きくなるように組成が変化させられている化合物半導体にて構成され、該半導体光電層の裏側に設けられて前記励起光を光波干渉によって反射する半導体多層膜反射鏡を有することを特徴とする偏極電子線発生素子。

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