特許

J-GLOBAL ID：200903059036346191

偏極電子線発生素子

発明者： 坂 貴 ,  加藤 俊宏 ,  中西 彊 ,  堀中 博道
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-247986
公開番号（公開出願番号）：特開平7-105832
出願日： 1993年10月04日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 共振波長の制御精度が高い偏極電子線発生素子を提供する。【構成】 偏極電子線発生素子10は、基板12と、その基板12の上に順次結晶成長させられた半導体多層膜反射層14,バッファ層16、および半導体光電層18を備えている。上記バッファ層16は84.2nm程度の厚さであってp-Al0.35Ga0.65Asから構成され、半導体光電層18は150nm程度の厚さであってp-GaAs0.83P0.17から構成されている。半導体光電層18の表面21と半導体多層膜反射層14との間に光共振器が構成され、その光共振器長は定在波の波長の約2倍とされている。

請求項（抜粋）：

価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層を備え、該半導体光電層に励起光が入射されることにより該半導体光電層の表面からスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子において、前記半導体光電層を透過した前記励起光を反射することにより該半導体光電層の表面との間に該励起光を共振させる光共振器を構成する反射層を、該半導体光電層の裏側に設けると共に、該光共振器の厚さを、定在波の波長の長さの3倍以下としたことを特徴とする偏極電子線発生素子。