特許

J-GLOBAL ID：200903061265518057

電極構造と半導体装置と熱電装置ならびにその製造方法

発明者： 山口 作太郎 ,  中村 圭二
出願人/特許権者： 株式会社ワイ・ワイ・エル
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-181715
公開番号（公開出願番号）：特開2002-374010
出願日： 2001年06月15日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】【課題】電極と絶縁部の接合部で熱抵抗を低下させるとともに、電極の剥がれを回避する製造方法と装置の提供。【解決手段】導電性基板1を、酸化処理又は窒化処理して表面に、酸化膜又は窒化膜の絶縁膜2を形成する工程と、基板表面の電極パタン以外の領域をマスク3を形成する工程と、金属イオンを基板表面と裏面に打ち込む工程と、前記マスクを除去する工程と、メッキ処理を行う工程と、熱電素子と熱源を、基板表面と裏面のメッキ面に半田またはロウ付けで接続する工程と、を含む。

請求項（抜粋）：

導電性金属の基板表面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜表面に選択的に金属層のパタンを形成する工程と、メッキ処理を行い、少なくとも前記金属層が形成されたパタン領域上に電極を形成する工程とを含む、ことを特徴とする電極の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 35/34 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/18 ,  H01L 35/22 ,  H01L 35/32

FI (6件)：

H01L 35/34 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/18 ,  H01L 35/22 ,  H01L 35/32 A