特許
J-GLOBAL ID：200903063122776104
シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置、その方法、シリコンウェーハの製造方法、及び薄膜振動子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
牛木 護
, 吉田 正義
, 今枝 弘充
, 梅村 裕明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-093276
公開番号（公開出願番号）：特開2009-033102
出願日： 2008年03月31日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：
【課題】効率的にシリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価を行うことができる原子空孔の定量評価装置及び定量評価方法を提供する。【解決手段】定量評価装置1は、超音波発振部27と超音波受信部28とを有する検出手段5と、完全結晶シリコンで構成されたシリコンウェーハ26に前記超音波発振部27と前記超音波受信部28とを形成したシリコン試料6と、前記シリコン試料6に対し外部磁場を印加する磁力発生手段4と、前記シリコン試料6を50K以下の温度域に冷却・制御可能な冷却手段3とを備える。前記超音波発振部27と超音波受信部28とは、前記温度域で温度降下に伴うシリコンウェーハ26の膨張に追随できる物性をもち、電場を印加したまま温度を下げると分子軸が電場方向に配向される高分子材料で形成した薄膜振動子31と、前記薄膜振動子31に電場を印加する電極32,33とを有するトランスデューサ30を備える。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハに超音波発振部と超音波受信部とを形成したシリコン試料と、
前記シリコン試料に対し外部磁場を印加する磁力発生手段と、
前記シリコン試料を50K以下の温度域に冷却可能な冷却手段と、
前記超音波発振部から発振された超音波パルスと、前記超音波パルスを前記シリコンウェーハ中に伝播させ前記超音波受信部において受信した測定波パルスとの位相差を検出する検出手段と
を備え、
前記超音波発振部、及び、前記超音波受信部は、
前記温度域で温度降下に伴うシリコンウェーハの膨張に追随できる物性をもつ薄膜振動子のうち、固体化する際、固体化後に加熱する際、及び固体化後に加熱し冷却する際のいずれかにおいて分子軸の配向が発生する性質を有する高分子材料からなる薄膜振動子と、
前記薄膜振動子に電場を印加する電極と
を有するトランスデューサを備える
ことを特徴とするシリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/66 N
, G01N29/08 506
2G047AA08
, 2G047AC10
, 2G047AD20
, 2G047BA01
, 2G047BB04
, 2G047BC02
, 2G047BC14
, 2G047CA01
, 2G047EA10
, 2G047GA02
, 2G047GB36
, 2G047GF06
, 2G047GF11
, 2G047GG29
, 4M106AA01
, 4M106BA20
, 4M106CB19
, 4M106DH20
