特許

J-GLOBAL ID：200903068177678626

磁気抵抗効果型磁気ヘッド

発明者： 川井 哲郎 ,  飛世 正博 ,  出井 寿之 ,  菊地 慶子
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
代理人 (1件)： 大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-017278
公開番号（公開出願番号）：特開平8-212519
出願日： 1995年02月03日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、MR膜(磁気抵抗効果膜),SAL膜(軟磁性バイアス膜)の磁区を永久磁石膜で制御する構造で、当該永久磁石膜から漏れる磁界をノイズ発生を抑制する程度に弱くし、再生出力の大きい磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。【構成】 前記永久磁石膜としては従来CoPt膜などが一般に用いられているが残留磁束密度が0.7T程度と大きいため、発生縦方向バイアス磁界が大き過ぎて再生出力が弱くなる。そこで、CoCrPt系膜,CoCrNi系膜およびCoCrTa系膜の組成を変化させ、0.2〜0.6T程度の膜を用いることにより充分ノイズが抑制でき、かつ従来ヘッドより出力の高いヘッドが得られた。

請求項（抜粋）：

基板上にSAL膜(軟磁性バイアス膜),磁気的分離膜,MR膜(磁気抵抗効果膜),絶縁膜の順で積層され、前記SAL膜及び前記磁気的分離膜の幅は実効的にトラック幅と同じであり、前記MR膜のトラック部外側は永久磁石膜に直接接触している構造を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記永久磁石膜として面内異方性を持つ膜を用いかつ、前記永久磁石膜として残留磁束密度0.2〜0.6Tの膜を用いたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。

IPC (2件)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/31