特許

J-GLOBAL ID：200903070225398899

InGaN系発光ダイオード

発明者： 川上 養一 ,  藤田 茂夫 ,  島田 順一
出願人/特許権者： 関西ティー・エル・オー株式会社
代理人 (1件)： 小林 良平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-231572
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050795
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 赤色域にて効率よくしかも比較的スペクトル分布がブロードに発光するInGaN系発光ダイオードを提供する。【解決手段】 一般式InxGa1-xN(0xGa1-xN1-yXy(0 請求項（抜粋）：

一般式InxGa1-xN(0 Fターム (10件)：

5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041AA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CB36 ,  5F041FF11