特許
J-GLOBAL ID：200903074776342695
磁気抵抗効果型再生ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-000383
公開番号（公開出願番号）：特開平10-269531
出願日： 1998年01月05日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 膜厚が薄くとも、十分な保磁力Hcと必要な磁界を印加できるBr・t積を有する永久磁石合金の組成を見い出す。【解決手段】 下部シールド層52上に、下部絶縁層42を介して、SAL膜13、磁気分離膜12およびMR膜11を挟むように、下地膜22、永久磁石膜21および電極膜31が積層され、更にこの上に、上部絶縁層41およびミッドシールド層51を形成した構造を有するSAL型磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、縦バイアス磁界印加用の永久磁石膜として、Co:65〜82atom%、Cr:10〜15atom%、Pt:8〜20atom%の組成のCoCrPt合金を用いることによって、再生トラック幅が3μm以下、再生ギャップ長が0.2μm以下のMRヘッドでも十分な出力とバルクハウゼン・ノイズの抑制効果とを得る。
請求項（抜粋）：
第1の厚さを有する磁気抵抗効果膜(MR膜)と、第2の厚さを有する磁気分離膜と、第3の厚さを有する軟磁性バイアス膜(SAL膜)で、前記磁気抵抗効果膜と前記軟磁性バイアス膜との間に前記磁気分離膜を挟む前記軟磁性バイアス膜と、前記磁気抵抗効果膜と前記磁気分離膜と前記軟磁性バイアス膜とからなる積層ストライプで、前記第1、第2、第3の厚さを横断する方向を横方向、前記横方向に対して実質的に垂直な方向を縦方向として、前記縦方向に第1の端部と第2の端部とを有する前記積層ストライプと、永久磁石膜と、前記永久磁石膜上に配置されて、前記横方向に積層された二重膜を形成する電極膜で、前記積層ストライプが、前記第1および第2の端部の各々に形成された前記二重膜と共に配置される前記電極膜と、前記積層ストライプと前記第1および第2の端部の各々に形成された前記二重膜との上に配置された上部絶縁層と、前記積層ストライプと前記第1および第2の端部の各々に形成された前記二重膜との下に配置された下部絶縁層と、前記第1および第2の端部の各々に形成された前記二重膜の間に配置された前記積層ストライプによって形成された再生トラック領域で、前記再生トラック領域に、前記軟磁性バイアス膜による横バイアス磁界と前記永久磁石膜による縦バイアス磁界とが印加されるように構成された前記再生トラック領域とを有する磁気抵抗効果型再生ヘッドであって、前記永久磁石膜は保磁力角形比が0.6以上であり、前記再生トラック領域における前記縦および横バイアス磁界の合成磁界は約45度に傾いた保磁力を有することを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。
引用特許：
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