特許
J-GLOBAL ID：200903077219832174
偏極電子線発生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-111018
公開番号（公開出願番号）：特開平7-320634
出願日： 1994年05月25日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 偏極電子線発生素子から長時間に亘って安定した量子効率が得られる偏極電子線発生装置を提供する。【構成】 偏極電子線発生装置24においては、取り出される偏極電子線量がモニタ90によって測定され、偏極電子線発生素子10への励起レーザ光20の入射角度θは、その測定された偏極電子線量と予め定められた目標値とが一致するように制御装置70により自動的に制御される。そのため、偏極電子線の取り出し中に偏極電子線発生素子10の表面22の状態が悪化した場合等にも同様な偏極電子線量が得られ、長時間に亘って安定した量子効率が得られる。
請求項（抜粋）：
価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層と、該半導体光電層の裏側に設けられ、該半導体光電層に照射された励起光を該半導体光電層の表面との間で共振させる光共振器を構成する反射層とが備えられた偏極電子線発生素子に、該励起光を照射することにより該半導体光電層の表面からスピン方向が偏在している偏極電子線を取り出す偏極電子線発生装置であって、前記取り出された偏極電子線量を測定する測定装置と、該測定された偏極電子線量と予め定められた目標値とが一致するように、前記励起光の前記偏極電子線発生素子への入射角度を自動的に制御する入射角度制御手段とが、備えられたことを特徴とする偏極電子線発生装置。
IPC (2件)：
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