特許
J-GLOBAL ID：200903082273437225
光合成生物を用いたデンプンおよびグルコースの高効率生産方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-100860
公開番号（公開出願番号）：特開平6-311890
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：
【要約】【目的】 短時間に大量のデンプンおよびグルコースを効率よく製造することができ、生産性の向上を図ることのできる光合成生物を用いたデンプンおよびグルコースの高効率生産方法を提供する。【構成】 炭素源、窒素源、硫黄源、リン源等の増殖に必要な栄養源が培地中に充分存在している条件下で、増殖速度が最も大きくなる温度付近の第1の培養温度に設定し、光照射を行って、光合成を行わせ培養(増殖)を行う。次に、培地中の炭素源以外の増殖に必要な栄養源(窒素源、硫黄源、リン源等)が消費され枯渇した状態で、最初に設定した第1の培養温度より増殖速度が小さくなる温度であって過渡現象が生じ細胞内に多量にデンプンおよびグルコースが蓄積される第2の培養温度、あるいは、デンプンおよびグルコースの蓄積量が最も大きくなる温度付近の第2の培養温度に設定して培養を行い、細胞内にデンプンおよびグルコースを蓄積させる。
請求項（抜粋）：
光合成によってデンプンおよびグルコースを生成し細胞内に蓄える生物を用いたデンプンおよびグルコースの高効率生産方法であって、増殖に必要な栄養源が培地中に充分存在している条件下で、増殖速度が最も大きくなる温度付近の第1の培養温度に設定し、光照射を行って、光合成を行わせ前記生物を増殖させる工程と、前記培地中の炭素源以外の増殖に必要な栄養源が、前記生物の生育に伴い消費されて枯渇する直前あるいは直後に、前記第1の培養温度より増殖速度が小さくなる培養温度であって、過渡現象が生じ細胞内に多量にデンプンおよびグルコースが蓄積される第2の培養温度に設定し、光照射を行って、光合成を行わせ前記生物の細胞内にデンプンおよびグルコースを蓄積させる工程とを具備したことを特徴とする光合成生物を用いたデンプンおよびグルコースの高効率生産方法。
IPC (3件)：
C12P 19/04
, C12P 19/02
, C12R 1:89
