特許
J-GLOBAL ID：200903083164379696

結晶性シリケート多孔質体

発明者：
佐藤 智司

佐藤 智司 について

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高橋 亮治

高橋 亮治 について

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松谷 勝博

松谷 勝博 について

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石附 正成

石附 正成 について

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三上 直樹

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出願人/特許権者：
株式会社トクヤマ

株式会社トクヤマ について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-024824
公開番号（公開出願番号）：特開2007-204314
出願日： 2006年02月01日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：
【課題】マクロ細孔を有しながら、結晶性シリケートの構造を有し、高い耐熱性を実現した結晶性シリケート多孔質体及び該結晶性シリケート多孔質体を工業的に有利に製造することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】平均細孔径が、0.1〜20μmのマクロ細孔を有する結晶性シリケートよりなり、該シリケートにおける金属元素(M)の重量割合が、酸化物換算で20〜70重量%の範囲にあることを特徴とする結晶性シリケート多孔質体であり、平均細孔径が、0.1〜50μmのマクロ細孔と、これに連続する、平均細孔径が、2〜30nmのナノ細孔を有する多孔質シリカに、水溶性金属化合物の水溶液、或いは、低融点金属化合物の溶融物を含浸させた後、加熱して結晶性シリケートを生成せしめることによって得ることができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
平均細孔径が、0.1〜20μmのマクロ細孔を有する結晶性シリケートよりなり、該シリケートにおける金属元素(M)の重量割合が、酸化物換算で20〜70重量%の範囲にあることを特徴とする結晶性シリケート多孔質体。
IPC (1件)：
C01B 33/20
FI (1件)：
C01B33/20
Fターム (28件)：
4G073BA10 ,  4G073BA11 ,  4G073BA57 ,  4G073BA69 ,  4G073BA75 ,  4G073BD01 ,  4G073BD11 ,  4G073CC05 ,  4G073CC06 ,  4G073CC16 ,  4G073CE04 ,  4G073FA03 ,  4G073FB05 ,  4G073FB09 ,  4G073FB11 ,  4G073FB25 ,  4G073FD24 ,  4G073FD30 ,  4G073FE04 ,  4G073GA01 ,  4G073GA03 ,  4G073GA12 ,  4G073GA13 ,  4G073GA15 ,  4G073GB02 ,  4G073GB05 ,  4G073UA02 ,  4G073UB40
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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