特許
J-GLOBAL ID：200903085140608298

偏極電子線発生素子

発明者：
坂 貴

坂 貴 について

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加藤 俊宏

加藤 俊宏 について

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中西 彊

中西 彊 について

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堀中 博道

堀中 博道 について


出願人/特許権者：
大同特殊鋼株式会社

大同特殊鋼株式会社 について


代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-239854
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094080
出願日： 1993年09月27日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 偏極率を損なうことなく高い量子効率が得られる偏極電子線発生素子を提供する。【構成】 偏極電子線発生素子10は、バンドギャップが互いに異なる二種の半導体薄膜(例えばGaAsとAl0.35Ga0.65As)が積層された量子井戸から構成された半導体光電層20と、その半導体光電層20の表面26との間に光共振器を構成する、例えばAl0.6 Ga0.4 AsとAl0.2 Ga0.8 Asが積層された半導体多層膜反射層16とを備えている。
請求項（抜粋）：
価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層を備え、該半導体光電層に励起光が入射されることにより該半導体光電層の表面からスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子において、前記半導体光電層を透過した前記励起光を反射することにより該半導体光電層の表面との間に該励起光を共振させる光共振器を構成する反射層を、該半導体光電層の裏側に設けるとともに、該半導体光電層を半導体薄膜を積層した量子井戸から構成したことを特徴とする偏極電子線発生素子。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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