半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉武賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-213671
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031466
出願日： 2001年07月13日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】ウェーハ円周上に形成された膜を制御性よく除去し、ダストの生成を抑制する。【解決手段】半導体基板1の周辺領域上の膜にレーザ光32を照射する際に、照射領域に液体24を供給する。これにより、ダストの発生を抑制しつつ膜を除去することができ、また膜の除去部分が半導体基板内部へ拡がることも抑制できるので、半導体製造の歩留まりを向上させることが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上に膜を形成する工程と、前記膜における前記半導体基板の周辺領域に形成された部分にレーザを照射し、この部分の前記膜を除去する工程とを備え、前記レーザの照射は、レーザの照射領域に液体を供給した状態で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/027 , B23K 26/00 , B23K 26/14 , G03F 7/42 , H01L 21/302 , H01L 21/304 643 , H01L 21/304 645 , H01L 21/304 647 , B23K101:40

FI (9件)：

B23K 26/00 H , B23K 26/14 Z , G03F 7/42 , H01L 21/304 643 A , H01L 21/304 645 D , H01L 21/304 647 A , B23K101:40 , H01L 21/30 577 , H01L 21/302 Z

Fターム (18件)：

2H096AA25 , 2H096DA10 , 2H096LA01 , 4E068AH00 , 4E068CG00 , 4E068CH08 , 4E068CJ07 , 4E068DA10 , 5F004AA16 , 5F004BA19 , 5F004BB03 , 5F004BB04 , 5F004BB18 , 5F004BC08 , 5F004DB03 , 5F004DB08 , 5F004DB23 , 5F046JA22

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体ウエハの周辺露光方法及び周辺露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-063999 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-111415
エッジリンス装置およびエッジリンス方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-236744 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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