半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-183220
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015407
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】アライメントマークの上方に形成された不透明膜をレーザ照射によって除去する際に生じる問題を解決する。【解決手段】半導体基板21の主面側にアライメントマーク23を形成する工程と、アライメントマークが形成された半導体基板の主面側にアライメントマーク観察用の光に対して不透明な不透明膜26を形成する工程と、アライメントマークの上方に形成された不透明膜をレーザ照射によって除去する工程とを有し、不透明膜に照射するレーザのパルス幅が1ピコ秒以下である。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面側にアライメントマークを形成する工程と、前記アライメントマークが形成された半導体基板の主面側にアライメントマーク観察用の光に対して不透明な不透明膜を形成する工程と、前記アライメントマークの上方に形成された前記不透明膜をレーザ照射によって除去する工程とを有し、前記不透明膜に照射するレーザのパルス幅が1ピコ秒以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , G03F 9/00

FI (4件)：

H01L 21/30 520 Z , G03F 7/20 521 , G03F 9/00 H , H01L 21/30 574

Fターム (5件)：

5F046EA12 , 5F046EA18 , 5F046EB01 , 5F046FC10 , 5F046PA11

引用特許：

審査官引用 (14件)

マスク上の欠陥を修理する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-006995 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
レーザ加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-268044 出願人：株式会社シンク・ラボラトリー
レーザ加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-270796 出願人：株式会社ニコン

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