半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-044833
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243845
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】材料の選択の制限が無く、かつ簡便な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】配線及び素子が形成された半導体基板1と、この半導体基板1上に形成された層間絶縁膜2及び4と、この層間絶縁膜2及び4中に選択的に形成されたヒューズ3とを有する試料を検査することにより、該試料の不良個所を特定し、該試料表面にレーザ吸収層8を形成し、所定のビーム径及び波長を持ったレーザをレーザ吸収層8を介してヒューズ3に照射し、ヒューズ3をカットし、ヒューズ3をカットした後にレーザ吸収層8を剥離する。

請求項（抜粋）：

配線及び素子が形成された半導体層上に絶縁層が形成されこの絶縁層中に選択的にヒューズの形成された試料を検査することにより、該試料の不良個所を特定する工程と、前記不良個所に対応するヒューズの少なくとも上面にレーザ吸収材料を形成する工程と、所定のビーム径及び波長を持ったレーザを前記レーザ吸収材料を介して前記ヒューズに照射し、前記ヒューズをカットする工程と、前記ヒューズをカットした後に前記レーザ吸収材料を剥離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/82 , H01L 21/3205 , H01L 27/10 311

FI (3件)：

H01L 21/82 F , H01L 27/10 311 , H01L 21/88 Z

Fターム (15件)：

5F033HH08 , 5F033QQ19 , 5F033QQ53 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033SS21 , 5F033VV11 , 5F033XX33 , 5F064EE33 , 5F064FF27 , 5F064FF29 , 5F083GA28 , 5F083JA36 , 5F083KA17 , 5F083ZA10

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