特許

J-GLOBAL ID：200903091461442596

偏極電子線発生素子

発明者： 坂 貴 ,  加藤 俊宏 ,  堀中 博道 ,  中西 彊
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-062893
公開番号（公開出願番号）：特開平9-259748
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】偏極電子線の十分な取り出し効率を得ることが可能な傾斜構造を有する偏極電子線発生素子を提供する。【解決手段】ドーピング量の傾斜構造に起因してその第2半導体16内で生じる電界の大きさがEn=1 /2aB * 以上となるように、すなわち、励起子の破壊エネルギであるEs =En=1 /2aB * 以上のエネルギがその励起子に与えられるように設定された傾斜をもって、半導体光電層として機能する第2半導体16の不純物Znのドーピング量がその表面18側よりも内部側の方が多くされる。そのため、第2半導体16内に電子の移動を妨げる励起子が形成され得ないため、偏極電子線の取り出し効率が高められる。

請求項（抜粋）：

価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層を備え、該半導体光電層に励起光が入射されることにより該半導体光電層の表面からスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子において、前記半導体光電層の伝導帯内で前記励起光によって励起される電子と正孔とによって形成される励起子の有するエネルギをEn 、有効ボーア半径をaB * としたとき、該半導体光電層内で生じる電界の大きさが少なくとも表面側の一部においてEn /2aB * 以上となるように設定された傾斜をもって、該半導体光電層の不純物のドーピング量を表面側よりも内部側の方を多くしたことを特徴とする偏極電子線発生素子。