特許

J-GLOBAL ID：200903092360205018

偏極電子線発生素子

発明者： 坂 貴 ,  加藤 俊宏 ,  中西 彊 ,  堀中 博道
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-084033
公開番号（公開出願番号）：特開平6-028970
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 充分に高い偏極率を備えた偏極電子線を得ることができる偏極電子線発生素子を提供する。【構成】 偏極電子線発生素子10によれば、GaAs1-x Px 化合物半導体層14に対する格子定数の差に基づいてGaAs1-y Py 化合物半導体層16に形成される残留歪みεR が2.0×10-3以上となるように、GaAs1-x Px 化合物半導体層14とGaAs1-y Py 化合物半導体層16との間の混晶比の差|x-y|、およびGaAs1-y Py 化合物半導体層16の厚みtが決定されていることから、GaAs1-y Py 化合物半導体層16における価電子帯の縮退の分離の大きさΔEは13meV以上となるので、少なくとも50%以上の偏極率が得られる。

請求項（抜粋）：

GaAs1-x Px (但し、0≦x<1)化合物半導体層と、該GaAs1-x Px 化合物半導体層の上に成長させられた、該GaAs1-x Px 化合物半導体層と格子定数が異なるGaAs1-y Py (但し、0≦y<1)化合物半導体層とを備え、該GaAs1-y Py 化合物半導体層が光エネルギを受けることにより、スピン方向が2種類のうちの一方に偏在している電子群からなる偏極電子線を発生させる形式の偏極電子線発生素子であって、前記GaAs1-x Px 化合物半導体層とGaAs1-y Py 化合物半導体層との間の格子定数の差に基づいて前記GaAs1-y Py 化合物半導体層に形成される残留歪εR が2.0×10-3以上となるように、該GaAs1-x Px 化合物半導体層とGaAs1-y Py 化合物半導体層との間の混晶比の差|x-y|および該GaAs1-y Py 化合物半導体層の厚みtが決定されていることを特徴とする偏極電子線発生素子。

IPC (2件)：

H01J 1/34 ,  H01J 37/073