特許
J-GLOBAL ID：200903093675057722
超電導体の着磁方法及び超電導磁石装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083854
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277333
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 捕捉磁場特性の優れた超電導体に,コンパクトな装置で高い磁場を捕捉させることができる,超電導体の着磁方法及び超電導磁石装置を提供すること。【解決手段】 超電導遷移温度以下の温度に冷却した超電導体2に強磁性体3を近接させた状態で,着磁コイル4により発生するパルス磁場を印加する。強磁性体3は予め磁化されており,かつ超電導体2を超電導遷移温度以下に冷却する以前に,強磁性体3を上記超電導体に近接させておくことが好ましい。強磁性体3は,超電導体2の着磁方向の片側もしくは両側に対向して配設することが好ましい。強磁性体3は,超電導体2と磁気回路を構成するように配設することが好ましい。
請求項（抜粋）：
超電導遷移温度以下の温度に冷却した超電導体に強磁性体を近接させた状態で,着磁コイルにより発生するパルス磁場を印加することを特徴とする超電導体の着磁方法。
IPC (2件)：
H01F 13/00
, H01F 6/00 ZAA
H01F 13/00 A
, H01F 7/22 ZAA A
