3次元フォトニック結晶の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-137153
公開番号（公開出願番号）：特開2007-310038
出願日： 2006年05月17日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

【課題】本発明の目的は、均一性の高い大表面積の3次元フォトニック結晶の製造方法を提供することである。【解決手段】本発明の3次元フォトニック結晶の製造方法は、微粒子を構成単位とする3次元フォトニック結晶の製造方法であって、窪みを有するテンプレート基板(Q)に、微粒子スラリーを供給して、窪みの形状に従った微粒子集積体を有する層(A)を形成し、さらに層(A)の上部に連続的な微粒子集積体層(A')を形成することを特徴とする。テンプレート基板(Q)に形成される窪みは、表面が(100)面又は(110面)であるシリコン基板を異方性エッチングすることにより作製される(111)面を表面に持つV字窪みであることが好ましく、その窪みの間隔が、0又は構成単位である微粒子の直径の整数倍であればさらに好ましい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

微粒子を構成単位とする3次元フォトニック結晶の製造方法であって、窪みを有するテンプレート基板(Q)に、微粒子スラリーを供給して、窪みの形状に従った微粒子集積体を有する層(A)を形成し、さらに層(A)の上部に連続的な微粒子集積体層(A')を形成することを特徴とする3次元フォトニック結晶の製造方法。

IPC (3件)：

G02B 1/02 , G02B 6/13 , G02B 6/12

FI (3件)：

G02B1/02 , G02B6/12 M , G02B6/12 Z

Fターム (32件)：

2H147BF04 , 2H147BF05 , 2H147BG07 , 2H147BG14 , 2H147BG19 , 2H147EA02C , 2H147EA13C , 2H147EA14B , 2H147EA14C , 2H147EA16A , 2H147EA16B , 2H147EA16D , 2H147EA17A , 2H147EA17B , 2H147EA19C , 2H147EA19D , 2H147EA20C , 2H147EA22A , 2H147EA22B , 2H147EA25A , 2H147EA25B , 2H147EA45A , 2H147EA45B , 2H147FA17 , 2H147FA24 , 2H147FA25 , 2H147FA27 , 2H147FC02 , 2H147FD09 , 2H147FD10 , 2H147FD16 , 2H147FE07

引用特許：

出願人引用 (7件)

実質的に三次元秩序を有する物品の作製のためのプロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-265145 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
WO97/33737
基板上の結晶コロイドパターンの自己集合方法および光学的用途
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-536588 出願人：オジン,ジョフリー,アラン, ヤン,サン,ミン, ミゲス,ヘルナン

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審査官引用 (4件)

光回路基板とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-209187 出願人：三井化学株式会社
微粒子構造体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-276977 出願人：株式会社リコー
基板、微粒子構造体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-204755 出願人：松下電器産業株式会社

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