特許
J-GLOBAL ID：200903094416392080

強誘電体単結晶製造のための原料組成決定方法、及び強誘電体単結晶の化学組成比校正方法、及び弾性表面波デバイスの設計パラメータ決定方法

発明者：
櫛引 淳一

櫛引 淳一 について

, 
大橋 雄二

大橋 雄二 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-290711
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108940
出願日： 2004年10月01日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】育成結晶の正しい化学組成比を求め、高精度なSAWデバイス設計パラメータを与える。【解決手段】コングルエント組成近傍の組成の結晶に対し、化学組成比変動に対して敏感なLSAWの伝搬方向を決定し、その伝搬方向において各結晶の育成軸方向のLSAW速度分布測定を通して、育成軸方向分布が0になる組成を決定し、その組成でのLSAW速度との絶対的関係を得る。これにより、極めて組成分布の小さい結晶量産を実現し、結晶化学組成評価の信頼性のある絶対的指標を与える。また、化学組成比に関する音響関連物理定数の正しい関係を求め、育成結晶の化学組成比に対応した音響関連物理定数を用いてSAWデバイス設計パラメータを高精度に決定する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
強誘電体単結晶製造のための原料組成決定方法において、強誘電体単結晶より切り出した第1の基板の漏洩弾性表面波速度の差分比のうち最大値を取る1乃至複数の漏洩弾性表面波伝搬方向を最大値伝搬方向と定め、上記強誘電体単結晶の上部および下部より切り出した第2の基板の漏洩弾性表面波速度測定において前記最大値伝搬方向を用いて測定し、該測定値より真のコングルエント組成Ccを求め、前記強誘電体単結晶の諸特性より上記真のコングルエント組成Ccからのずれの許容値幅±△Ccを求め、強誘電体単結晶製造のための原料組成を決める事を特徴とする原料組成決定方法。
IPC (1件)：
H03H 3/08
FI (1件)：
H03H3/08
Fターム (5件)：
5J097AA28 ,  5J097GG04 ,  5J097GG07 ,  5J097HA01 ,  5J097HB07
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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