特許
J-GLOBAL ID:200903094592801760

加工方法及び半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-319100
公開番号(公開出願番号):特開2007-096340
出願日: 2006年11月27日
公開日(公表日): 2007年04月12日
要約:
【課題】 被加工膜の加工に際して、パーティクルの発生を無くし、欠陥の発生を抑制する。【解決手段】 基板上に溶剤を含む塗布膜形成用薬液206を供給して基板主面に液膜204を形成する工程と、液膜204中に含まれる溶剤の一部を除去することにより被加工膜207を形成する工程と、被加工膜207の加工領域に加工光を選択照射して、被加工膜207を選択除去する工程と、加工光照射後に、被加工膜207中に含まれる溶剤をほぼ完全に除去する本加熱処理を行う工程とを含む。【選択図】 図8
請求項(抜粋):
基板上に溶剤を含む塗布膜形成用薬液を供給して前記基板主面に液膜を形成する工程と、 液膜中に含まれる溶剤の一部を除去することにより被加工膜を形成する工程と、 前記被加工膜の加工領域に加工光を選択照射して、前記被加工膜を選択除去する工程と、 前記加工光照射後に、被加工膜中に含まれる溶剤をほぼ完全に除去する本加熱処理を行う工程と、 を含むことを特徴とする加工方法。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  B23K 26/36 ,  H01L 21/302
FI (4件):
H01L21/30 503G ,  B23K26/36 ,  H01L21/30 520C ,  H01L21/302 201B
Fターム (21件):
4E068AH00 ,  4E068DA09 ,  5F004BB03 ,  5F004BB04 ,  5F004BB05 ,  5F004DB00 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB13 ,  5F004DB23 ,  5F004DB26 ,  5F004EA22 ,  5F004FA01 ,  5F046AA17 ,  5F046AA26 ,  5F046FC02 ,  5F046FC03 ,  5F046FC10
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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