BSZT誘電体、キャパシタ及び不揮発性メモリ並びにそれらの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：杉村興作 , 藤谷史朗 , 来間清志 , 高見和明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-077390
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258252
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】鉛やビスマスを含まず有害性が少ない新規材料としてBa,SrZr,TiO3BSZTを用い、パルスレーザ照射によるPLA 法によりBSZT をSrTiO3STO及びPt 上にペロブスカイト単相膜として成膜させて、BSZTを用いたMIM型素子を作製する。【解決手段】薄膜試料は、パルスレーザ照射によるPLA 法によりSTO 基板上1にPt3とBSZT2 を堆積したBSZT/Pt/STO を形成する。下部電極Pt3上には<100>、<110>、<111>の多軸配向したBSZT2 を形成する。さらに真空蒸着により上部電極としてAu4を蒸着し、Au/BSZT/Pt/STO としたMIM 型素子を作製する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に(Ba,Sr)(Zr,Ti)O3の薄膜を具えることを特徴とする誘電体。

IPC (8件)：

H01L 21/316 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 41/187 , H01L 41/24 , C23C 14/08 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (6件)：

H01L21/316 X , H01L27/10 444C , H01L41/18 101J , H01L41/22 A , C23C14/08 K , H01L27/04 C

Fターム (42件)：

4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029BD01 , 4K029CA02 , 4K029DB20 , 4K029EA01 , 4K029EA03 , 4K029EA08 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC17 , 5F038AC18 , 5F038AC19 , 5F038DF05 , 5F038EZ03 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BF11 , 5F058BG03 , 5F058BH03 , 5F058BJ10 , 5F083FR01 , 5F083GA06 , 5F083GA11 , 5F083HA10 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5G303AA10 , 5G303BA03 , 5G303BA12 , 5G303CA01 , 5G303CB03 , 5G303CB32 , 5G303CB35 , 5G303CB39 , 5G303DA01

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