研究者
J-GLOBAL ID：200901000062375289
更新日: 2020年08月27日
大野 隆央
オオノ タカヒサ | Ohno Takahisa
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所属機関・部署：
独立行政法人物質・材料研究機構 材料基盤研究センター 計算材料研究グループ 第2サブグループ
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職名：
サブグループリーダー
競争的資金等の研究課題 (2件)：
表面の物理的性質の理論的研究
Theoretical Study on the Physical Properties of Surfaces
MISC (8件)：
Takahisa Ohno. Theoretical study of atomic structures and dynamics on semiconductor surfaces. Thin Solid Films. 1996. 272. 2. 331-344
Takahisa Ohno. Site exchange mechanism in surfactant-mediated epitaxial growth. Physical Review Letters. 1994. 73. 3. 460-463
Takahisa Ohno. Barrierless dimer breaking at semiconductor surfaces by chlorine atoms. Physical Review Letters. 1993. 70. 7. 962-965
Takahisa Ohno. Energetics of as dimers on GaAs(001) As-rich surfaces. Physical Review Letters. 1993. 70. 5. 631-634
Theoretical Study of Atomic Structures and Dynamics on Semiconductor Surfaces. Thin Solid Film, Vol.272, pp.331-344 1996
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学歴 (2件)：
東京大学
東京大学大学院
学位 (1件)：
理学博士
所属学会 (3件)：
The Physical Society of Japan
, The Japan Society of Applied Physics
, The American Physical Society
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