研究者
J-GLOBAL ID：200901001242152837
更新日: 2024年03月30日
今村 裕志
イマムラ ヒロシ | Imamura Hiroshi
所属機関・部署：
職名：
研究チーム長
ホームページURL (1件)：
http://www.aist.go.jp/
研究分野 (5件)：
磁性、超伝導、強相関系
, ナノマイクロシステム
, ナノ材料科学
, ナノ構造物理
, ナノ構造化学
研究キーワード (1件)：
スピントロニクス 量子情報 電気伝導
競争的資金等の研究課題 (10件)：
- 2019 - 2023 ビット化けを許容することで飛躍的な省エネ化を実現する計算機メモリシステムの研究
- 2016 - 2019 低エネルギー高速磁化反転技術のための反強磁性構造の創製
- 2011 - 2016 高周波スピントロニクスの研究
- 2012 - 2015 微小錐台におけるエバネッセント光の結合効果による自然放出光の指向性制御
- 2010 - 2012 面内規則配列を有する自己組織化ナノ構造薄膜の作製とスピンデバイスへの適用
- 2004 - 2006 光子とスピンの絡み合い状態を用いた量子情報処理デバイスの理論的研究
- 2002 - 2005 電子-スピントロニクスデバイスのデザイン
- 2002 - 2005 スピントロニクスデバイス・デザインに関する研究連絡調整
- 2002 - 2003 微小超伝導体の物理とその量子計算機素子への応用に関する理論的研究
- 2001 - 2002 強磁性微小構造における磁気構造とスピン依存電気伝導の理論的研究
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論文 (182件)：
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Toshiki Yamaji, Hiroshi Imamura. Synthetic exchange coupled composite for widening an in-plane ballistic switching region. Applied Physics Letters. 2024. 124. 12
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Rie Matsumoto, Shiniji Yuasa, Hiroshi Imamura. Substantial reduction of write-error rate for voltage-controlled magnetoresistive random access memory by in-plane demagnetizing field and voltage-induced negative out-of-plane anisotropy field. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2023
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Toshiki Yamaji, Hiroshi Imamura. Material Parameters for Faster Ballistic Switching of an In-Plane Magnetized Nanomagnet. Journal of the Physical Society of Japan. 2023
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Hiroko Arai, Hiroshi Imamura. Characteristic time of transition from write error to retention error in voltage-controlled magnetoresistive random-access memory. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2023
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Yukie Kitaoka, Hiroshi Imamura. First-principles study of enhancement of perpendicular magnetic anisotropy obtained by inserting an ultrathin LiF layer at an Fe/MgO interface. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2023
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学位 (1件)：
所属学会 (2件)：
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