研究者
J-GLOBAL ID：200901089283772186   更新日: 2024年01月30日

小豆畑 敬

アズハタ タカシ | Azuhata Takashi
所属機関・部署：
弘前大学 理工学部 数物科学科

弘前大学 理工学部 数物科学科 について


職名： 准教授
研究分野 (3件)： 結晶工学 ,  応用物性 ,  半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (4件)： 半導体 ,  光物性 ,  Semiconductor ,  Optical Properties of materials
競争的資金等の研究課題 (9件)：
  • 2022 - 2026 金属バッファ層上層状窒化ホウ素を用いたGaN系デバイス構造成長とその機械的転写
  • 2018 - 2022 層状BNを用いた大面積可能な金属基板、ガラス基板上へのGaN系デバイス成長
  • 2003 - 2004 半導体柱状量子構造の新規作製法
  • 2001 - 2002 新規作製法による半導体柱状量子構造
  • 2001 - 単一チップフルカラー発光ダイオードの研究
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論文 (47件)：
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MISC (23件)：
  • 宮永 崇史, 小豆畑 敬, 新田 清文, 秩父 重英. 23aJA-6 m面成長したInGaN薄膜の偏光XAFS解析(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)). 日本物理学会講演概要集. 2011. 66. 2. 1001-1001
  • 宮永崇史, 小豆畑敬, 山田努, 三上慎太郎, 秩父重房, 北島義典. 半導体薄膜の偏光XAFSによる局所構造解析. PFシンポジウム要旨集. 2009. 26th. 51
  • LEDマルチカラー化の工夫. LED最新技術動向~性能向上・課題解決集~、情報機構. 2005. 第3章(27~38頁)
  • InGaN単晶片全彩LED. 光電科技、Chinese Information社. 2004. 12月号、49-52頁
  • 小豆畑 敬. InGaN系単一チップマルチカラーLED. 月刊ディスプレイ、テクノタイムズ社. 2004. 1月号、28-31頁. 1. 28-31
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特許 (3件)：
  • 表示装置および基本色生成方法
  • 発光ダイオードの発光色制御方法
  • 発光ダイオードの活性層の評価方法およびその評価装置
書籍 (1件)：
  • Valence band physics in wurtzite GaN(jointly worked)
    Materials Research Society Symposium Proceedings 1997
Works (4件)：
  • 高精細ディスプレイ用超小型フルカラー発光ダイオードの研究
    2001 -
  • Study on Single-chip fullcolor LEDs for high-definition displays
    2001 -
  • (]G0003[)族窒化物の光学特性
    1994 -
  • Optical properties of (]G0003[)-nitrides
    1994 -
学歴 (5件)：
  • 1993 - 1996 早稲田大学大学院 理工学研究科 電気工学専攻 博士後期課程
  • - 1996 早稲田大学
  • 1991 - 1993 早稲田大学大学院 理工学研究科 電気工学専攻 修士課程
  • 1987 - 1991 早稲田大学 理工学部 電気工学科
  • - 1991 早稲田大学
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (早稲田大学)
経歴 (9件)：
  • 2007/04 - 現在 弘前大学 准教授
  • 2003/10 - 現在 弘前大学
  • 2003/10 - 2007/03 弘前大学 助教授
  • 1998/04 - 2003/09 弘前大学 助手
  • 1998/04 - 2003/09 弘前大学
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受賞 (1件)：
  • 2004 - 第3回インテリジェント・コスモス奨励賞
所属学会 (4件)：
日本物理学会 ,  応用物理学会 ,  The Japan Society of Applied Physics ,  The Physical Society of Japan
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