研究者
J-GLOBAL ID：200901089765976137   更新日: 2024年02月01日

大参 宏昌

オオミ ヒロマサ | Ohmi Hiromasa
所属機関・部署：
大阪大学 工学研究科 物理学系専攻

大阪大学 工学研究科 物理学系専攻 について


ホームページURL (1件)： http://www-ms.prec.eng.osaka-u.ac.jp/
研究分野 (5件)： プラズマ科学 ,  電気電子材料工学 ,  加工学、生産工学 ,  光工学、光量子科学 ,  薄膜、表面界面物性
研究キーワード (10件)： 表面・界面物性 ,  薄膜工学 ,  電気材料工学 ,  電子 ,  量子光工学(レーザ) ,  応用光学 ,  Surface and Interface ,  electronics material ,  Quantum Optics(Laser) ,  Applied Optics
競争的資金等の研究課題 (45件)：
  • - 2024 異種材接合に向けた高密度・非平衡プラズマによる金属表面処理技術の開発
  • - 2023 省資源・省エネ型単結晶ダイヤモンド合成プロセスの開発
  • 2021 - 2022 高密度水素プラズマを用いた赤外無反射ゲルマニウム表面の創成
  • 2016 - 2019 水素サイクルによるケミカルフリー高品位半導体基板創成プロセスの開発
  • 2015 - 2017 非平衡高圧水素プラズマによるシリコン次元変換ソフトプロセスの開発
全件表示
論文 (187件)：
  • Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi. Role of O2 and N2 addition on low-reflectance Si surface formation using moderate-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma. Physica Scripta. 2023. 98. 11. 115609-115609
  • Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi. Shallow defect layer formation as Cu gettering layer of ultra-thin Si chips using moderate-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma. Journal of Applied Physics. 2023. 133. 16
  • Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Seiya Takeda, Kiyoshi Yasutake. Improvement of deposition characteristics of silicon oxide layers using argon-based atmospheric-pressure very high-frequency plasma. Journal of Applied Physics. 2022. 132. 10. 103302-103302
  • Toshimitsu Nomura, Kenta Kimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi. Si nanocone structure fabricated by a relatively high-pressure hydrogen plasma in the range of 3.3-27 kPa. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2022. 40. 3. 032801-032801
  • Kazushi Yoshida, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi. Formation of indium nitride nanostructures by atmospheric pressure plasma nitridation of molten indium. Journal of Applied Physics. 2021. 130. 6. 063301-063301
もっと見る
MISC (72件)：
  • 垣内 弘章, 大参 宏昌, 安武 潔. 大気圧VHFプラズマを用いたSiの低温・高速成膜技術と薄膜トランジスタへの応用 (特集 FPDの進化を担う薄膜技術). ディスプレイ. 2013. 19. 11. 23-29
  • 垣内 弘章, 大参 宏昌, 安武 潔. 大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用 (特集 大気圧プラズマと注目の応用). オプトロニクス. 2012. 31. 6. 88-93
  • 垣内 弘章, 大参 宏昌, 安武 潔. 大気圧プラズマを用いた低温・高速成膜技術 (特集 プラズマプロセスの応用技術). ケミカルエンジニヤリング. 2010. 55. 12. 889-895
  • 大参 宏昌, オオミ ヒロマサ. 大気圧プラズマ化学輸送法による太陽電池用シリコン膜の作製. 大阪大学低温センターだより. 2010. 152. 20-26
  • Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake. PFC-free dry etching method for Si using narrow-gap VHF plasma at subatmospheric pressure. J. Electrochem. Soc.,. 2010. 157. 2. D85-D89
もっと見る
特許 (26件)：
もっと見る
書籍 (12件)：
  • 超精密加工と表面科学 第2部2章3
    大阪大学出版会 2014 ISBN:9784872594652
  • 大気圧VHFプラズマを用いたSiの低温・高速成膜技術と薄膜トランジスタへの応用 「月間ディスプレイ」
    (株)テクノタイムズ社 2013
  • 大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用 OPTRONICS, 2012, No. 6, 88-93. (共著)
    株式会社オプトロニクス社 2012
  • 大気圧プラズマCVDによるシリコン薄膜の形成 「改訂版 大気圧プラズマの生成制御と応用技術」 pp.197-219, 2012 (共著)
    サイエンス&テクノロジー株式会社 2012 ISBN:9784864280396
  • 大気圧プラズマの技術とプロセス開発
    シーエムシー出版 2011 ISBN:9784781304076
もっと見る
Works (6件)：
  • グローバルCOE 高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点
    2008 -
  • Center of Excellence for Atomically Controlled Fabrication Technology
    2008 -
  • 大気圧水素プラズマのみによるSi薄膜の形成
    2004 -
  • ガラス基板表面の核形成点制御による大粒径多結晶薄膜形成法の開発
    2004 -
  • 原子論的生産技術の創出拠点
    2004 -
もっと見る
学歴 (1件)：
  • - 2001 大阪大学 工学研究科 精密科学専攻
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (大阪大学)
経歴 (1件)：
  • 2023/10 - 現在 大阪大学 大学院工学研究科 物理学系専攻 准教授
委員歴 (1件)：
  • 2011/04 - 現在 精密工学会 超精密加工専門委員会 幹事
受賞 (5件)：
  • 2017/10 - 公益財団法人 精密工学会 2017年度 精密工学会 秋季大会学術講演会 ベストオーガナイザー賞
  • 2015/11 - Taiwan Association for Coatings and Thin Films Technology Poster award of excellence
  • 2015/07 - 大阪大学 大阪大学 総長奨励賞
  • 2014/07 - 大阪大学 大阪大学 総長奨励賞
  • 2004/03 - 社団法人精密工学会 精密工学会沼田記念論文賞
所属学会 (5件)：
精密工学会 ,  応用物理学会 ,  The Japan Society of Applied Physics ,  Japan Society for Precision Engineering ,  電気学会
※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM