研究者
J-GLOBAL ID：200901090626309485   更新日: 2024年01月30日

田中 保宣

タナカ ヤスノリ | Tanaka Yasunori
所属機関・部署：
独立行政法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター

独立行政法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター について


職名： 副研究センター長
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=Y72950186
研究分野 (2件)： 無機材料、物性 ,  半導体、光物性、原子物理
競争的資金等の研究課題 (4件)：
  • 2015 - 2018 超低損失・高速SiCパワーデバイスのパルスパワー応用
  • 2012 - 2015 超低損失炭化珪素静電誘導トランジスタの新しい動作モード
  • 2009 - 2011 超低損失炭化珪素静電誘導デバイスの高信頼性に関する研究開発
  • 2006 - 2008 シリコンカーバイド静電誘導デバイスの限界性能の究明
論文 (61件)：
  • Norimichi Chinone, Alpana Nayak, Ryoji Kosugi, Yasunori Tanaka, Shinsuke Harada, Hajime Okumura, Yasuo Cho. Evaluation of silicon- and carbon-face SiO2/SiC MOS interface quality based on scanning nonlinear dielectric microscopy. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2017. 111. 6
  • T. Miyazaki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata. Effect of gamma-ray irradiation on the device process-induced defects in 4H-SiC epilayers. Superlattices and Microstructures. 2016. 99. 197-201
  • N. Chinone, R. Kosugi, Y. Tanaka, S. Harada, H. Okumura, Y. Cho. Local deep level transient spectroscopy using super-higher-order scanning nonlinear dielectric microscopy. MICROELECTRONICS RELIABILITY. 2016. 64. 566-569
  • Takahito Kojima, Shinsuke Harada, Yusuke Kobayashi, Mitsuru Sometani, Keiko Ariyoshi, Junji Senzaki, Manabu Takei, Yasunori Tanaka, Hajime Okumura. Self-aligned formation of the trench bottom shielding region in 4H-SiC trench gate MOSFET. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2016. 55. 4
  • Shinsuke Harada, Yusuke Kobayashi, Keiko Ariyoshi, Takahito Kojima, Junji Senzaki, Yasunori Tanaka, Hajime Okumura. 3.3-kV-Class 4H-SiC MeV-Implanted UMOSFET With Reduced Gate Oxide Field. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2016. 37. 3. 314-316
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MISC (17件)：
  • Hironori Yoshioka, Junji Senzaki, Atsushi Shimozato, Yasunori Tanaka, Hajime Okumura. Effects of interface state density on 4H-SiC n-channel field-effect mobility (vol 104, 083516, 2014). APPLIED PHYSICS LETTERS. 2015. 106. 10
  • 先﨑 純寿, 下里 淳, 田中 保宣, 奥村 元. SiC-MOSゲート構造の高信頼性化 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2013. 113. 87. 81-86
  • 矢野 浩司, 八尾 勉, 田中 保宣. SiC埋め込みゲートSITのチャネル設計の検討 (第20回 SIデバイスシンポジウム講演論文集). SIデバイスシンポジウム講演論文集. 2007. 20. 29-34
  • Yasunori Tanaka, Mitsuo Okamoto, Akio Takatsuka, Kazuo Arai, Tsutomu Yatsuo, Koji Yano, Masanobu Kasuga. 700-V 1.0-m Omega center dot cm(2) buried gate SiC-SIT (SiC-BGSIT). IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2006. 27. 11. 908-910
  • 田中 保宣, 高塚 章夫, 岡本 光央, 荒井 和雄, 八尾 勉, 矢野 浩司. 埋込ゲート型SiC-SIT(BGSIT)の設計・試作及び電気特性評価. 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会. 2006. 2006. 47. 89-93
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