研究者
J-GLOBAL ID：200901091152867399
更新日: 2020年06月05日
鎌倉 良成
カマクラ ヨシナリ | Kamakura Yoshinari
この研究者にコンタクトする
直接研究者へメールで問い合わせることができます。
所属機関・部署：
大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻
大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 について
「大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻」ですべてを検索
機関情報を見る
職名：
助手
ホームページURL (1件)：
http://www6.eie.eng.osaka-u.ac.jp
研究分野 (1件)：
電子デバイス、電子機器
研究キーワード (1件)：
半導体
競争的資金等の研究課題 (4件)：
Si-MOSFETの酸化膜信頼性に関する研究
半導体中のキャリア輸送に関する研究
Study on Reliability of Gate Oxides in Si-MOSFETS
Study on High Field Carrier Transport in Semiccnductiors
MISC (20件)：
S Uno, A Ishida, K Deguchi, Y Kamakura, K Taniguchi. Carrier separation measurement of leakage current under prebreakdown in ultrathin SiO2 films. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2001. 89. 12. 8336-8338
ホットホール注入によるトンネルゲート酸化膜の絶縁性劣化. 電気学会電子・情報・システム部門誌. 2001. 121-C. 3. 492-498
Degradation of Direct-Tunneling Gate Oxide Induced by Hot-Hole Injection. The Transactions of The Institute of Electrical Engineers of Japan. 2001. 121-C. 3. 492-498
Y Kamakura, Kawashima, I, K Deguchi, K Taniguchi. Verification of hot hole scattering rates in silicon by quantum-yield experiment. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2000. 88. 10. 5802-5809
Degradation of direct-tunneling gate oxide under hot-hole injection. Applied Physics Letters. 2000. 88. 10. 5802-5809
もっと見る
書籍 (1件)：
次世代ULSIプロセス技術(共著)
リアライズ社 2000
Works (4件)：
ひずみSi素子技術
2001 -
ゲート酸化膜の薄膜限界に関する研究
2001 -
Technology of Strained Si Devices
2001 -
Study on Scaling Limit of Gate Oxide Films
2001 -
学歴 (2件)：
- 1994 大阪大学 工学研究科 電子工学
- 1994 大阪大学
学位 (1件)：
博士(工学) (大阪大学)
経歴 (2件)：
1994 - 1997 日本電気株式会社 研究員
1994 - 1997 NEC Corp., researcher
所属学会 (2件)：
IEEE
, 応用物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、
researchmap
の登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、
こちら
をご覧ください。
前のページに戻る
TOP
BOTTOM
