研究者
J-GLOBAL ID:200901092141807455   更新日: 2023年07月13日

幸谷 智

コウヤ サトシ | Satoshi Kouya
所属機関・部署:
職名: 講師
ホームページURL (1件): http://www.wsl.c.dendai.ac.jp/
論文 (7件):
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MISC (10件):
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書籍 (2件):
  • ペンギン電子工学辞典
    2010 ISBN:9784254221541
  • ゴールドスミス ワイヤレスシステム工学
    2007 ISBN:9784621078471
講演・口頭発表等 (21件):
  • Evaluation of Is Oxide Layer Anodized by Extremely Diluted HF Solution
    (7th Korea-Japan International Symposium on Materials Science and Technology 2022)
  • ウイルス影響下における効果的な工学実験の試み2
    (第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
  • ウイルス影響下における効果的な工学実験の試み
    (第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020)
  • エンジニアのためのコミュニケーション能力および表現能力を高める実験教育の試み2
    (第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
  • Performance of TCP CUBIC and TCP BBR on IEEE802.11s Mesh Network
    (12th International Conference on Computer Science and Information Technology 2019)
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Works (4件):
  • 東京コンテスト
    2017 - 2017
  • 東京コンテスト
    2016 - 2016
  • 東京コンテスト
    2015 - 2015
  • 東京コンテスト
    2013 - 2013
経歴 (2件):
  • 1999/08 - 2000/09 Polytechnic University 大学等非常勤研究員
  • 1999/08 - 2000/09 Polytechnic University Resercher
受賞 (4件):
  • 2022/11 - The Materials Research Society of Korea Best Presentation Awards Evaluation of Si Oxide Layer Anodized by Extremely Diluted HF Solution
  • 2015/11 - 日本材料科学会 若手奨励賞 二重励起プラズマを用いたメゾスコピックSiへの表面処理効果
  • 2015/11 - 日本材料科学会 若手奨励賞 二重励起プラズマを用いたメゾスコピックSiへの表面処理効果
  • 2015/06 - 日本材料科学会 若手奨励賞 高周波グロー放電プラズマの位相制御とメゾスコピックSiへの処理効果
所属学会 (3件):
電子情報通信学会 ,  日本シミュレーション学会 ,  IEEE
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