研究者
J-GLOBAL ID:200901092594251873   更新日: 2024年02月01日

財満 鎭明

Zaima Shigeaki
研究分野 (1件): 薄膜、表面界面物性
競争的資金等の研究課題 (31件):
  • 2014 - 2019 多機能融合・省電力エレクトロニクスのためのSn系IV族半導体の工学基盤構築
  • 2015 - 2018 新規IV族系二次元物質の創製
  • 2014 - 2015 機能融合デバイス構築に向けたSn系IV族半導体薄膜の材料設計
  • 2010 - 2013 省電力/超高速ナノCMOSのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生
  • 2009 - 2011 シリコン系エンジニアリングサブストレート実現のための材料・物性・構造制御技術
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論文 (386件):
MISC (265件):
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書籍 (1件):
  • プロセスインテグレーション
    丸善 2010 ISBN:9784621082843
講演・口頭発表等 (44件):
  • Ultra-low resistance contact for n-type Ge[1-x]Sn[x] with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation (シリコン材料・デバイス)
    (電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2019)
  • 新しいIV族多元混晶薄膜の結晶成長とデバイス応用
    (表面科学学術講演会要旨集 2017)
  • 金属/Ge界面へのIV族混晶半導体層挿入によるショットキー障壁高さの低減
    (表面科学学術講演会要旨集 2016)
  • Si(001)基板上に形成したn型Ge<sub>1-x</sub>Sn<sub>x</sub>薄膜の熱電特性評価
    (表面科学学術講演会要旨集 2016)
  • Si(001)基板上におけるSi<sub>1-x</sub>Sn<sub>x</sub>薄膜の固相エピタキシャル成長
    (表面科学学術講演会要旨集 2016)
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学位 (1件):
  • 工学博士 (東北大学)
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