高軍思

ゴウジュンス | Gao si Jun

所属機関・部署：
職名：助手

研究分野 (4件)：電気電子材料工学 , 薄膜、表面界面物性 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (6件)： application of thin film , application of plasma on material , electrical and electronic material , 表面界面物性 , 応用物性・結晶工学 , 電子電気材料工学

競争的資金等の研究課題 (6件)：

2002 - 2004 カーボンナノチューブ成長のためのナノ粒子触媒のプラスによる薄膜からの形成
2001 - 2002 マイクロ波プラズマCVD用いた大面積カーボンナノチューブの低温下での垂直成長法の開発
2001 - 2002 マイクロ波プラズマCVD用いた大面積カーボンナノチューブ低温下で垂直成長法の開発
2001 - 2002 Low temperature growth of large area vertical aligned carbon nanotube by using MP-CVD
カーボンナノチューブの垂直成長機構

全件表示

MISC (5件)：

Optimum Discharge Condition of DC Bias ECR plasma Sputtering for High Quality SiEpitaxial Growth. Jpn. J. Appl. Phy. 2000. 39(5)
Optimum Discharge Condition of DC Bias ECR plasma Sputtering for High Quality SiEpitaxial Growth. Jpn. J. Appl. Phy. 2000. 39(5)
Study of the effects of discharge conditions on Si epitaxial depositions. Effects of Impurity on KrF laser. J. V. Science and Technol. 2000. A18(3)
Effects of Impurity on KrF laser. Chinese Journal Laser. 1998. B7(3)
Growth of epitaxial sifilm by plasma. Jpn. J. Appl. Phys. 38. 3A

学歴 (2件)：

学位 (2件)：

経歴 (12件)：

全件表示

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

高 軍思