研究者
J-GLOBAL ID:200901094228645780   更新日: 2024年03月22日

三宅 秀人

ミヤケ ヒデト | Miyake Hideto
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): http://www.opt.elec.mie-u.ac.jp/
研究分野 (3件): 電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (6件): 深紫外 ,  カルコパイライト型半導体 ,  光デバイス ,  窒化物半導体 ,  半導体工学 ,  Physics and Technology of Semiconductor Devices
競争的資金等の研究課題 (29件):
  • 2022 - 2025 窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
  • 2016 - 2023 国際活動支援班
  • 2016 - 2021 平衡状態に基づくトップダウン法による特異構造の創製
  • 2016 - 2021 総括班
  • 2017 - 2020 フォノン機能制御による窒化物半導体光素子の基盤科学技術開拓
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論文 (293件):
  • Yoshihiro Ishitani, Bojin Lin, Hnin Lai Lai Aye, Daiki Yoshikawa, Hideto Miyake, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka. Longitudinal optical (LO) and LO-like phonon resonant mid-infrared radiation emission and absorption by surface micro-structures on III-nitrides. Gallium Nitride Materials and Devices XIX. 2024
  • Shin-ichiro Sato, Kanako Shojiki, Ken-ichi Yoshida, Hideaki Minagawa, Hideto Miyake. Optical activation of implanted lanthanoid ions in aluminum nitride semiconductors by high temperature annealing. Optical Materials Express. 2024. 14. 2. 340-340
  • Kanako Shojiki, Kenjiro Uesugi, Shiyu Xiao, Hideto Miyake. Polarity control of sputter-deposited AlN with high-temperature face-to-face annealing. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023. 166. 107736-107736
  • Bojin Lin, Hnin Lai Lai Aye, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka, Hideto Miyake, Yoshihiro Ishitani. Mid-infrared thermal radiation resonating with longitudinal-optical like phonon from n++-doped GaN-semi-insulating GaN grating structure. Journal of Physics D: Applied Physics. 2023
  • Toma Nishibayashi, Ryosuke Kondo, Eri Matsubara, Ryoya Yamada, Yoshinori Imoto, Koki Hattori, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake, et al. Fabrication of vertical AlGaN-based ultraviolet-B laser diodes using a laser lift-off method. Applied Physics Express. 2023. 16. 10. 104001-104001
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MISC (243件):
  • 市川俊輔, 岡崎美香, 藤本晴香, AVSAR Eriko, 西村訓弘, 三宅秀人. UV-LED光処理後に生存する環境水中の細菌PriestiaのUV耐性発現. 日本水環境学会年会講演集. 2023. 57th
  • 臧黎清, 島田康人, 三宅秀人, 西村訓弘. ゼブラフィッシュを用いた深紫外線(UVC)の生体安全性確認及びDNA損傷修復機構の解明. 日本生化学会大会(Web). 2022. 95th
  • 薮谷歩武, 大森智也, 山田和輝, 長谷川亮太, 岩山章, 岩山章, 神好人, 松本竜弥, 寅丸雅光, 鳥居博典, et al. 高反射率誘電体多層膜反射鏡適用によるAlGaN系UV-Bレーザダイオードの特性改善. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • 薮谷歩武, 長谷川亮太, 近藤涼輔, 松原衣里, 岩山章, 岩山章, 神好人, 松本竜弥, 寅丸雅光, 鳥居博典, et al. AlGaN系UV-B半導体レーザーの作製とそのデバイス特性. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2022. 122. 271(ED2022 24-48)
  • 薮谷歩武, 長谷川亮太, 近藤涼輔, 松原衣里, 岩山章, 岩山章, 神好人, 松本竜弥, 寅丸雅光, 鳥居博典, et al. AlGaN系UV-Bレーザダイオード用誘電体多層膜反射鏡. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 83rd
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書籍 (1件):
  • Solution Growth of CuGaS<sub>2</sub> Single Crystals(共著)
    Proceedings of the 8th International Conference of Ternary & Multinary Compounds 1990
講演・口頭発表等 (158件):
  • スパッタアニール A lN を用いた波長 2 30 n m 帯 U V LED の開発
    (第70回応用物理学会春季学術講演会)
  • ピラー 形成 AlN テンプレート上 への HVPE法による AlN厚膜 成長
    (第70回応用物理学会春季学術講演会)
  • マルチ・スパッタアニール 法 による多層極性反転 AlN構造の作製
    (第70回応用物理学会春季学術講演会)
  • ゲート絶縁膜を有するAlGaNチャネルHEMTの作製と評価
    (第14回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会)
  • スパッタアニール法作製a面AlNのc軸配向方向の基板微傾斜角度依存性
    (第14回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会)
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学歴 (2件):
  • - 1988 大阪大学 基礎工学研究科 物理系電気工学分野
  • - 1986 山梨大学 工学部 電気工学科
学位 (2件):
  • 工学修士 (大阪大学 大学院基礎工学研究科)
  • 工学博士 (大阪大学)
経歴 (8件):
  • 2022/04 - 現在 三重大学大学院工学研究科 電気電子工学専攻 教授
  • 2021/04 - 2022/03 三重大学大学院地域イノベーション学研究 副研究科長
  • 2017/04 - 2021/03 三重大学大学院地域イノベーション学研究科 研究科長
  • 2015/04 - 2021/03 三重大学大学院地域イノベーション学研究科 教授
  • 2015/03 - 2015/04 三重大学大学院工学研究科 教授
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受賞 (12件):
  • 2022/03 - 三重大学 三重大学優秀論文・著書・作品賞
  • 2022/03 - 三重大学 三重大学賞
  • 2021 - 日本結晶成長学会 論文賞
  • 2021 - 応用物理学会 論文賞
  • 2020/09 - 応用物理学会 第14回(2020年度)フェロー
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所属学会 (2件):
電子情報通信学会 ,  応用物理学会
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